Welcome to Suguru NODA's HP

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「太陽光発電システムの導入によるCO2排出削減効果」
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2. 稲葉敦，近藤康彦，小林光雄，喜多浩之，高橋伸英，野田優，松本真太郎，森田英基，小宮山宏
「太陽光発電システムのライフサイクルアセスメント」
エネルギー・資源，16 (5)，525-531 (1995)．

1. 稲葉敦，近藤康彦，小林光雄，喜多浩之，高橋伸英，野田優，松本真太郎，森田英基，小宮山宏
「太陽光発電システムのライフサイクルインベントリー」
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Proceedings of Material Research Society 2004 Spring Meeting, F8.10, San Francisco, April 12-16, 2004.

5. R. Hirai, S. Noda, H. Komiyama, and Y. Shimogaki,
"Selective silicidation of cobalt using SiH4 and Si2H6 for Cu metallization,"
Proceedings of the Advanced Metallization Conference 2002 (AMC 2002), San Diego, October 1-3, 2002, Materials Research Society, Conf. Proc. ULSI XVIII, 427-431 (2003).

4. S. Noda, K. Hagiwara, O. Ichikawa, K. Tanabe, T. Yahiro, H. Ohkawa, T. Osawa, and H. Komiyama,
"Closed recycle CVD process for mass production of SOG-Si from MG-Si,"
Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2002, 29th, 308-311.

3. Y. Tsuji, S. Noda, M. Mizukami, and H. Komiyama,
"Epitaxial technology of Si/CoSi2/Si layers for solar cell application,"
Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2002, 29th, 289-292.

2. M. Hu, S. Noda, Y. Ogawa, Y. Tsuji, T. Okubo, Y. Yamaguchi, and H. Komiyama,
"Study of initial growth of Cu on SiO2 and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane-coated SiO2,"
Proc. Electrochem. Soc. 2001-13 (Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Deposition II), 41-46 (2001).

1. K. Tepsanongsuk, S. Noda, Y. Tsuji, and H. Komiyama,
"The structure control of sputtered TaN films on SiO2 through the study of evolutionary selection growth,"
Proc. Adv. Metall. Conf. 2000, 409-412 (2000).

解説・総説

2. 野田優
「コンビナトリアル手法を援用したCNT合成法の開発」
NEW DIAMOND，89-24 (2)，32-33 (2008)．

1. 野田優
「単層カーボンナノチューブ合成への化学工学的アプローチ」
ケミカル・エンジニヤリング，51 (8)，32-37 (2006)．

著書

6. フラーレン・ナノチューブ学会編「カーボンナノチューブ・グラフェンハンドブック」コロナ社 (2011)，
　野田優「11-4-3　透明電極」pp. 248-250．

5. フラーレン・ナノチューブ学会編「カーボンナノチューブ・グラフェンハンドブック」コロナ社 (2011)，
　野田優「1-1-1 熱CVD - 単層CNTの垂直配向成長」pp. 10-14．

4. 内藤牧男 編著「究極のかたちをつくる」日刊工業新聞社 (2009)，
　野田優「カーボンナノチューブのカスタム合成」pp. 56-67．

3. 松本洋一郎, 小宮山宏 監修，藤原毅夫，丸山茂夫，伊東乾編「知識・構造化ミッション 大学は表現する」日経BP社 (2005)，
　野田優「知を活かす 薄膜成長を例として」pp. 113-127．

2. 細川益男 監修，野城清 編著「ナノパーティクル・テクノロジー」日刊工業新聞社 (2003)，
　野田優「ナノ粒子の物性，機能」pp. 223- 228．

1. 動け！日本タスクフォース編「動け！日本」日経BP社 (2003)，
　野田優，小宮山宏「太陽電池の大規模一貫製造プロセス」pp. 280- 284．

その他記事

特許

25. 発明者：野田優，大沢利男，金東榮，羽場英介，上田俊輔
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「ナノカーボン材料製造装置」
　特願2010-35239，出願日2010年2月19日．
　PCT/JP2011/053420，国際出願日2011年2月17日．WO 2011/102433 A1，国際公開日2011年8月25日．

24. 発明者：野田優，諸隈慎吾，山本武継
　出願人：国立大学法人東京大学，住友化学株式会社
　「シリコン膜およびリチウム二次電池」
　特願2009-280187，出願日2009年12月10日．
　PCT/JP2010/072255，国際出願日2010年10月10日．WO 2011/071154 A1，国際公開日2011年6月16日．

23. 発明者：野田優，金東榮，大沢利男，杉目恒志，長谷川馨，羽場英介
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブ及び水素の同時製造方法、並びに、カーボンナノチューブ及び水素の同時製造装置」
　特願2009-209844，出願日2009年9月10日．
　PCT/JP2010/065514，国際出願日2009年9月9日．WO 2011/030821 A1，国際公開日2011年3月17日．

22. 発明者：野田優，古市考次
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「化学気相成長装置、化学気相成長方法」
　特願2009-178815，出願日2009年7月31日．特開2011-32120，公開日2011年2月17日．

21. 発明者：野田優，古市考次，白鳥洋介
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「面発光装置」
　特願2008-278873，出願日2008年10月29日．特開2010-108723，公開日2010年5月13日．

20. 発明者：野田優，古市考次
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「カーボンナノチューブ形成方法」
　特願2008-278869，出願日2008年10月29日．
　PCT/JP2009/068516，国際出願日2009年10月28日．WO 2010/050517 A1，国際公開日2010年5月6日．

19. 発明者：野田優，古市考次，白鳥洋介，辻佳子，杉目恒志
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「フィールドエミッション装置、ならびに、その製造方法」
　特願2008-089078，出願日2008年3月31日．特開2009-245672，公開日2009年10月22日．
　韓国特許出願 第10-2009-0026915号，出願日：2009年3月30日． 登録番号 第10-1060382号，登録日：2011年8月23日．
　中国特許出願 200910132528.3号，出願日2009年3月31日． 登録番号 ZL200910132528.3，登録日2012年5月30日．

18. 発明者：野田優，杉目恒志，山口由岐夫，大沢利男，筧和憲，長谷川馨，金東榮
　出願人：日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブの製造方法」
　特願2008-058825，出願日2008年3月7日．
　PCT/JP2009/054284，国際出願日2009年3月6日．WO 2009/110591 A1，国際公開日2009年9月11日．

17. 発明者：野田優，高嶋智史
　出願人：野田優，キヤノンアネルバ株式会社
　「配線形成方法及び配線形成装置」
　特願2008-034985，出願日2008年2月15日．
　「金属埋め込み方法及び凹部に金属を堆積させるための装置」
　PCT/JP2009/052543，国際出願日2009年2月16日．WO 2009/102056 A1，国際公開日2009年8月20日．

16. 発明者：野田優，杉目恒志，山口由岐夫
　出願人：日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブの製造方法」
　特願2006-244643，出願日2006年9月8日．
　PCT/JP2007/067539，国際出願日2007年9月7日．WO 2008/029927 A1，国際公開日2008年3月13日．

15. 発明者：全基栄，坂本仁志，野田優
　出願人：三菱重工業株式会社，野田優
　「薄膜作製装置」
　特願2006-008230，出願日2006年1月17日．特開2007-191729，公開日2007年8月2日．
　特許第4405973号，登録日2009年11月13日．

14. 発明者：野田優
　出願人：東京大学
　「磁気記録媒体及びその製造方法」
　特願2005-207868，出願日2005年7月15日．特開2007-26558，公開日2007年2月1日．

13. 発明者：野田優
　出願人：大日本スクリーン製造株式会社，野田優
　「カーボンナノチューブデバイス及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法」
　特願2004-219371，出願日2004年7月27日．
　PCT/JP2005/13629，国際出願日2005年7月26日．WO 2006/011468 A1，国際公開日2006年2月2日．
　韓国特許出願第10-207-7001647号，2008年5月19日特許査定．
　中国特許第2010071200102440号，2010年7月15日特許査定．
　日本国特許第4558735号，2010年7月30日特許査定．

12. 発明者：野田優，丸山茂夫
　出願人：化学工学会
　「カーボンナノチューブデバイス及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法」
　特願2004-219370，出願日2004年7月27日．特開2006-35379，公開日2006年2月9日．

11. 発明者：坂本仁志，野田優
　出願人：三菱重工業株式会社，野田優
　「薄膜作製方法及び薄膜作製装置」
　特願2004-050950，出願日2004年2月26日．特開2005-240091，公開日2005年9月8日．
　米国11/635600，欧州06125734.1，韓国2006-0123941，台湾095145037．

10. 発明者：末富栄一，深沢孝二，霜垣幸浩，杉山正和，野田優
　出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
　「ハイブリッド反応モデルを用いたシミュレーションシステムまたはシミュレーション方法」
　特願2004-023615，出願日2004年1月30日．特開2005-217276，公開日2005年8月11日．
　特許第4449472号，登録日2010年2月5日．

9. 発明者：野田優
　出願人：科学技術振興機構／野田優
　「単結晶薄膜の製造方法及び単結晶薄膜デバイス」
　特願2004-7754，出願日2004年1月15日．
　PCT/JP2004/019195，国際出願日2004年12月22日．WO 2005/069356 A1，国際公開日2005年7月28日．
　台湾国特許：I281705，特許権者：野田優，登録日：2007年5月21日，期限：2024年12月27日．
　韓国特許：799144，特許権者：野田優，登録日：2008年1月23日，期限：2024年12月22日．
　中国特許：ZL200480041710.3，特許権者：野田優，登録日：2008年11月12日，期限：2024年12月22日．
　EP特許公開EP-A-2256786，公開日2010年12月1日．

8. 発明者：坂本仁志，野田優
　出願人：三菱重工業株式会社，野田優
　「薄膜作製方法及び薄膜作製装置」
　特願2003-374182，出願日2003年11月4日．特開2005-139476，2005年06月02日．
　特許第3937411号，2007年4月6日登録．

7. 発明者：野田優
　出願人：科学技術振興機構
　「ナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法」
　特願2003-306045，出願日2003年8月29日．
　特願2004-105046，出願日2004年3月31日．
　PCT/JP2004/012261，国際出願日2004年8月26日．WO 2005/022565 A1，国際公開日2005年3月10日．

6. 発明者：辻佳子，野田優
　出願人：科学技術振興機構
　「錐体型微小構造体及びその製造方法」
　特願2003-291802，出願日2003年8月11日．特開2005-63798，公開日2005年3月10日．

5. 発明者：小宮山宏，山口由岐夫，野田優
　出願人：東京大学
　「材料設計支援方法ならびにそのシステム」
　特願2001-378137，出願日2001年12月12日．特開2003-178102，公開日2003年06月27日．
　特許第4047581号，2007年11月30日登録．

4. 発明者：小宮山宏，野田優，岩間政明
　出願人：小宮山宏，野田優，岩谷産業株式会社
　「アモルファス膜からの大粒径の結晶薄膜の製造方法」
　特願2001-331772，出願日2001年10月30日．特開2003-133231，公開日2003年05月09日．

3. 発明者：小宮山宏，野田優，出願人：小宮山宏，野田優
　「目的膜の製造方法」
　特願2000-353112，出願日2000年11月20日．
　発明者：小宮山宏，野田優，出願人：小宮山宏，野田優
　「結晶性の良い目的膜の製造方法」
　特願2001-230240，出願日2001年7月30日．
　発明者：小宮山宏，野田優，辻佳子，出願人：小宮山宏，野田優
　「結晶性の良い目的膜の製造方法」
　PCT/JP2001/010111，国際公開日：2001年11月20日．WO 2002/040751 A1，国際公開日：2002年5月23日．
　発明者：小宮山宏，野田優，辻佳子，出願人：小宮山宏，野田優
　「目的膜の製造方法及びそれによって得られた目的膜並びに複層構造物」
　特願2002-543058，出願日：2001年11月20日，再公表日：2004年3月25日．

2. 発明者：小宮山 宏，奥山 喜久夫，松方 正彦，江頭 靖幸，野田 優
　出願人：小宮山 宏，奥山 喜久夫，松方 正彦，江頭 靖幸，野田 優
　「構造解析システム，構造解析方法，および，データ構造」
　特願2000-058931，出願日2000年03月03日，特開2001-249946，公開日2001年09月14日．

1. 発明者：野田 優，定方 正毅
　出願人：科学技術振興機構
　「固−気−固触媒反応による排ガスの酸化処理方法」
　特願1999-38180，出願日1999年02月17日，特開2000-237544，公開日2000年09月05日．